Thông tin chuyên gia
Quá trình Công tác
Thời gian
Cơ quan
Vị trí
-
11/2006 - 11/2008
Học Cao học chuyên ngành Vật lý Vô tuyến tại khoa Vật lý, trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia Hà Nội (VNU).
12/2008 - 11/2010
Giảng dạy tại khoa Vật lý, trường ĐHSP, ĐHĐN.
12/2010 - 10/2011
Tham gia chương trình liên kết đào tạo của VNU và Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST), tại VNU.
11/2011 - 09/2014
Nghiên cứu sinh tại Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST) (Suzuki laboratory).
10/2014 - 12/2015
Giảng viên, Giảng dạy tại Khoa Vật lý, trường ĐHSP, ĐHĐN.
01/2016 - nay
Phó Trưởng khoa, Giảng dạy tại Khoa Vật lý, trường ĐHSP, ĐHĐN.
A) Thâm niên công tác -
06/2007 - nay
Cán bộ giảng dạy khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm (ĐHSP), ĐH Đà Nẵng (ĐHĐN).
Đề tài
| Tên đề tài | Cấp | Vai trò | Năm |
|---|---|---|---|
| Nghiên cứu chế tạo, khảo sát tính chất từ và cơ chế truyền dẫn CỦA VẬT LIỆU La0.5Ca0.5Mn0.5Fe0.5O3. | Đề tài cấp cơ sở | 2021 |
Tạp chí
| Tên bài báo | Loại | Tạp chí | Tác giả |
|---|---|---|---|
| Structural, magnetic and electronic properties of Ti-doped BaFeO3-d exhibiting colossal dielectric permittivity . | Article | Journal of Alloys and Compounds. No: 808. Pages: 151760. Year 2019. | Authors: N.T. Dang, D.P. Kozlenko, N. Tran, B.W. Lee, T.L. Phan, R.P. Madhogaria, V. Kalappattil, D.S. Yang, S.E. Kichanov, E.V. Lukin, B.N. Savenko, P. Czarnecki, T.A. Tran, V.L. Vo, L.T.P. Thao, D.T. Khan, N.Q. Tuan, S.H. Jabarov, M.H. Phan |
| Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. | Article | Journal of Applied Physics. No: 119. Pages: 204503. Year 2016. | Authors: Son Phuong Le, Toshimasa Ui, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki |
| Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: a comparison with Schottky devices. | Article | Journal of Applied Physics. No: 116. Pages: 054510. Year 2014. | Authors: Son Phuong Le, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki |
| Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric. | Article | Physica Status Solidi (C). No: 10. Pages: 1401–1404. Year 2013. | Authors: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, Toshi-kazu Suzuki |
| AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric. | Presentations | The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan. Pages: TuC3-4. Year 2013. | Authors: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki |
| Application of AlTiO thin films to AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. | Presentations | 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, Fukuoka, Japan, September 24–27 (2013).. Pages: 920-921. Year 2013. | Authors: Tuan Quy Nguyen, Toshimasa Ui, Masahiro Kudo, Yuji Yamamoto, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki |
| X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. | Presentations | 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Japan, September 2–5 (2013).. Pages: 49-50. Year 2013. | Authors: Masahiro Kudo, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki |
| Study on luminescent properties of Tb3+ and Sm3+ co-doped CaSiO3 phosphors for white light emitting diodes. | Article | Materials Research Express. No: 7. Pages: 016507. Year 2020. | Authors: D T Khan , N T Dang , S H Jabarov , T G Naghiyev, R M Rzayev, T Q Nguyen1, H V Tuyen, N T Thanh and L V T Son |
| Magnetic phase transition in La0.8Sr0.2Mn0.9Sb0.1O3 manganite under pressure. | Article | Chemical Physics. No: 528. Pages: 110541. Year 2020. | Authors: S.E. Kichanov, D.P. Kozlenko, L.H. Khiem, N.X. Nghia, N.T.T. Lieu, M.T. Vu, E.V. Lukin, D.T. Khan, N.Q. Tuan, B.N. Savenko, N.T. Dang |
| Characterization of gate-control efficiency in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure by capacitance-frequency-temperature mapping. | Presentations | 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Kyoto, Japan, September 25-27, (2012). Pages: 905-906. Year 2012. | Authors: Hong-An Shih, Tuan Quy Nguyen, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki |
Tạp chí
| Hình thức | Năm |
|---|
Sở hữu trí tuệ
AWAD2014 Young Researcher Award
2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, 7A-3 (2014).
2014
Ngoại ngữ
Ngoại ngữ
Trình độ
Kinh nghiệm
Hội đồng
Cấp
Vai trò