Thông tin chuyên gia
Quá trình Công tác
Thời gian
Cơ quan
Vị trí
Đề tài
| Tên đề tài | Cấp | Vai trò | Năm |
|---|---|---|---|
| Nghiên cứu bộ nhớ sắt điện chế tạo bằng phương pháp dung dịch ở nhiệt độ thấp | Bộ | Chủ trì | 2013 |
Tạp chí
| Tên bài báo | Loại | Tạp chí | Tác giả |
|---|---|---|---|
| Switchable voltage control of the magnetic anisotropy in heterostructured nanocomposites of CoFe/NiFe/PZT | trongnuoc | J. Korean Phys. Soc. | |
| Electric Properties and Interface Charge Trap Density of Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using (Bi,La)4Ti3O12/Pb(Zr,Ti)O3 Stacked Gate Insulator | trongnuoc | Japanese Journal of Applied Physics | |
| Ferroelectric-Gate Thin Film Transistor Fabricated by Total Solution Deposition Process | trongnuoc | Jpn.J.Appl.Phys | |
| A low-temperature crystallization path for device-quality ferroelectric films | trongnuoc | Appl. Phys. Lett. | |
| Optimization of Pt and PZT Films for Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors | trongnuoc | Ferroelectrics | |
| Totally solution-processed ferroelectric-gate thin-film transistor | trongnuoc | Appl. Phys. Lett. | |
| Disturb-Free Writing Operation for Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor Memories With Intermediate Electrodes | trongnuoc | IEEE Trans. Electron Devices | |
| Synthesis of undoped and M-doped ZnO (M = Co, Mn) nanopowder in water using microwave irradiation | trongnuoc | J. Phys.: Conf. Ser. | |
| Nondestructive Readout of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor Memory With an Intermediate Electrode by Using an Improved Operation Method | trongnuoc | IEEE Trans. Electron Devices | |
| Operation of Ferroelectric Gate Field-Effect Transistor Memory with Intermediate Electrode using Polycrystalline Capacitor and Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor | trongnuoc | Jpn. J. Appl. Phys. | |
| Control of Preferential Orientation of Platinum Films on RuO2/SiO2/Si Substrates by Sputtering | trongnuoc | Jpn. J. Appl. Phys. | |
| Platinum Magneto-sputtered Films used as Electrodes to Measuring Conductivity of Solutions | trongnuoc | VNU Journal of Science | |
| Preparing and Studying Thermo-electric Properties of the Flash-evaporated P-type Bi0.4Sb1.6Te3 Thin Films | trongnuoc | VNU Journal of Science | |
| Spin Reorientation in ErCo10-xFexMo2 Compounds | trongnuoc | Physica B | |
| Interface Charge Trap Density of Solution Processed Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using ITO/PZT/Pt Structure | trongnuoc | Ferroelectrics Letters | |
| Thin-film Transistor Using Low-temperature PZT Fabricated by Nano-imprinting Lithography Method | trongnuoc | International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT-2013) | |
| Application of Low-temperature PZT Thin Film for Ferroelectric Memories Integrated on Glass Substrate | trongnuoc | Proc. of 4th International Workshop on Nanotechnology and Application (IWNA-2013), pp.746-748, 14-16/11/2013, Vung Tau, Vietnam. (oral presentation). | |
| 400-nm Channel in Width and 650-nm Gate in Length Thin Film Transistor Fabricated by a Precise Alignment Nano-Imprinting Lithography | trongnuoc | International Symposium on Frontiers in Materials Science (ISFMS-2013), p.108, 17-19/11/2013, Hanoi, Vietnam. (oral presentation). | |
| Nghiên cứu chế tạo các chấm và dây lượng tử Pt kích thước 100 nm bằng công nghệ in khắc và ăn mòn khô | trongnuoc | Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 8 (SPMS-2013), tr. 203-204, 4-6/11/2013, Thái Nguyên Việt Nam. | |
| Nghiên cứu chế tạo điện cực dạng màng mỏng lai hóa Al/Pt nhằm thay thế Pt thuần trong bộ nhớ sắt điện | trongnuoc | Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 8 (SPMS-2013), tr. 216, 4-6/11/2013, Thái Nguyên, Việt Nam. | |
| Solution-Processed ITO thin film untilized as oxide-semiconductor channel of thin film transistor | trongnuoc | Hội nghị toàn quốc lần III Vật lý kỹ thuật và Ứng dụng, tr. 87, 8-12/10/2013, Huế Việt Nam. | |
| Use of high quality low- temperature PZT thin film for gate insulator of ferroelectric memory | trongnuoc | Hội nghị toàn quốc lần III Vật lý kỹ thuật và Ứng dụng, tr. 88, 8-12/10/2013, Huế Việt Nam. | |
| Size dependent electric field control of strain mediated magnetoelectric random access memory | trongnuoc | Proc. of 4th International Workshop on Nanotechnology and Application (IWNA-2013), pp.359-364, 14-16/11/2013, Vung Tau, Vietnam. | |
| Sub-100nm ferroelectric-gate thin film transistor fabricated by two-step patterning method | trongnuoc | ||
| A study on distribution of red blood cells using microsized permenant magnets | trongnuoc | ||
| Manipulation of magnetization reversal of nanostructured NiFe and PZT/CoFe/NiFe composite films by tuning the magnetic anisotropy | trongnuoc | ||
| Core/shell-structured Fe3O4/BaTiO3 nanoparticles synthesized by hydrothermal method | trongnuoc | ||
| Analysis on interface layer between Pt electrode and ferroelectric layer of solution-processed PZT capacitor | trongnuoc | ||
| Data Disturbance-free NAND-type Ferroelectric-gate Thin Film Transistor Array using Solution-processed ITO and Stacked (BLT/PZT) Gate Insulator | trongnuoc | ||
| Nano-sized Pt Lines and Spaces Patterned by Nanoimprint Lithography and Physical Dry-etching Method | trongnuoc | ||
| Thin-film Transistor Fabricated by a Precise Alignment Nano-imprinting Lithography and Physical Dry-etching Method | trongnuoc | Proc. of 4th International Workshop on Nanotechnology and Application (IWNA-2013) | |
| Sub-micron ferroelectric-gate thin films transistor using sol-gel ITO channel and stacked (BLT/PZT) insulator | trongnuoc |
Tạp chí
| Hình thức | Năm |
|---|
Sở hữu trí tuệ
Ngoại ngữ
Ngoại ngữ
Trình độ
Kinh nghiệm
Hội đồng
Cấp
Vai trò