Thông tin chuyên gia - Chuyên gia Đà Nẵng

1. Họ tên (*)

URL

2. Năm sinh

3. Giới tính

Nam Nữ

4. Học hàm

Năm

5. Học vị

Năm

6. Lĩnh vực nghiên cứu

Khoa học tự nhiên

Khoa học kỹ thuật và công nghệ

Khoa học y, dược

Khoa học nông nghiệp

Khoa học xã hội

Khoa học nhân văn

Mã ngành

Chuyên ngành (C3)

Chuyên ngành (C2)

Lĩnh vực nghiên cứu

7. Chức danh nghiên cứu

8. Chức vụ

Năm bắt đầu công tác

9. Thông tin liên lạc

Điện thoại

Số di động

Địa chỉ

Phường/Xã

Quận/Huyện

Tỉnh/Thành phố

10. Đơn vị (*)

11. Lĩnh vực tư vấn

Chuyên gia tư vấn về các công nghệ ưu tiên để chủ động tham gia cuộc Cách mạng công nghiệp lần thứ tư

Chuyên gia tư vấn hỗ trợ hoạt động khởi nghiệp đổi mới sáng tạo

Chuyên gia tư vấn, hỗ trợ doanh nghiệp nâng cấp, chuyển đổi công nghệ

Lĩnh vực khác

Quá trình Công tác

Thời gian

Cơ quan

Vị trí

2014 - 2016

Giảng dạy tại Khoa Vật lý, trường ĐHSP, ĐHĐN.

2011 - 2014

Nghiên cứu sinh tại Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST) (Suzuki laboratory).

2010 - 2011

Tham gia chương trình liên kết đào tạo của VNU và Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST), tại VNU.

2008 - 2010

Giảng dạy tại khoa Vật lý, trường ĐHSP, ĐHĐN.

2006 - 2008

Học Cao học chuyên ngành Vật lý Vô tuyến tại khoa Vật lý, trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia Hà Nội (VNU).

2007 - 2016

Cán bộ giảng dạy khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm (ĐHSP), ĐH Đà Nẵng (ĐHĐN).

Đề tài

Tên đề tài	Cấp	Vai trò	Năm

Tạp chí

Tên bài báo	Loại	Tạp chí
Characterization of gate-control efficiency in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure by capacitance-frequency-temperature mapping.	quocte	2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Kyoto, Japan, September 25-27, (2012). Pages: 905-906. Year 2012. (09/07/2014)Giải thưởng khoa học, phát minh và sáng chếSttTênLĩnh vực
X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors.	quocte	10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Japan, September 2–5 (2013).marriage affairs open i want an affairunfaithful spouse will my husband cheat again i dreamed my husband cheated on me. Pages: 49-50.
Application of AlTiO thin films to AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors.	quocte	2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, Fukuoka, Japan, September 24–27 (2013).marriage affairs blog.ivanovtech.com i want an affair. Pages: 920-921.
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric.	quocte	The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan. Pages: TuC3-4.
Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric.	quocte	Physica Status Solidi (C). No: 10. Pages: 1401–1404.
Temperature-dependent characteristics of AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor het-erojunction field-effect transistors.	quocte	2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, (2014). Pages: 234-238.

Tạp chí

Hình thức	Năm

Sở hữu trí tuệ

Ngoại ngữ

Trình độ

Kinh nghiệm

Hội đồng

Cấp

Vai trò